对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。
此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。
采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
超纯金属，指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准，常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的。
材料的纯度对其性能，特别是微电子学、光电子学性能影响很大，现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。
区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
由于具有独特的物理化学性能，当代科学技术的飞速发展，将会越来越多的应用于国民经济中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微电子技术等高科技领域及石油化工、化学工业、汽车尾气净化等与人类生活息息相关的领域，并在众多的应用领域中起着关键的的作用，因此被誉为“首要高技术金属”、“现代工业的维生素”“现代新金属”，发达的国家长期以来一直把视为“战略性物质”。由于W-Ti系列薄膜具有非常优良的性能，近几年来应用量急剧增加，2008年W-Ti靶材世界用量已达到400t，随着光伏产业的发展，这种靶材的需求量会越来越大。
以上信息由专业从事铂蒸发镀靶材厂的东创贵金属于2025/3/26 12:08:38发布
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