所述泡沫弹性层包含:至少三种具有不同体积电阻率的导电性橡胶,这三种导电性橡胶的体积电阻率小于约I X ο14 Ω Cm ;至少一种体积电阻率为约IXlO14Qcm或更大的绝缘橡胶；以及至少两种导电性填料。
所述绝缘橡胶为选自由三元乙丙橡胶、硅橡胶和丁基橡胶构成的组中的至少一种橡胶。根据本发明的第三方面，所述导电性橡胶和所述绝缘橡胶为氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶，或者为氯丁橡胶、氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶。根据本发明的第四方面，所述绝缘橡胶的含量为橡胶成分总量的约30质量％至约40质量％。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。
区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。所述绝缘橡胶为选自由三元乙丙橡胶、硅橡胶和丁基橡胶构成的组中的至少一种橡胶。
精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素(用力的大小，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
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