稀土金属制取(preparation of rare earth metal),将稀土化合物还原成金属的过程。还原所制得的稀土金属产品含稀土95%～99%，主要用作钢铁、有色金属及其合金的添加剂，以及用作生产稀土永磁材料、贮氢材料等功能材料的原料。瑞典人穆桑德尔(C．G．Mosander)自1826年先制得金属以来，现已能生产全部稀土金属，产品纯度达到99.9%。回收涉及从金属材料中分离贵重金属，其中一些材料可能包括催化剂，如电子组件或印刷电路板。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属 。
钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。具有结构简单、设计合理、使用寿命长的特点可增加在刷辊辊轴有效长度上单片刷套安装数量10%左右，进而能够高密度填充刷毛，提高了清洗质量。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
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