在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
根据电解质的种类可分为氯化物熔盐体系和氟化物-氧化物熔盐体系电解法，多用于制取以镧为主的混合稀土金属以及镧、镨、钕等单一稀土金属。但是布线金属本身易氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si与SiO2等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si的化合物,充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。熔盐电解法为连续性生产过程，产量较大，设备简单，成本较低，但电解槽需用耐高温氯化物或氟化物腐蚀的结构材料制造。
还原制得含稀土99%的稀土金属经真空精炼(包括真空蒸馏或升华)、电传输、区域熔炼、熔盐电解精炼等方法处理除去非稀土杂质后，可获得纯度超过99.9%的稀土金属产品。
钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，W/Ti合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。
加工工业里钼用得更广泛。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足。高温下使用的模具受热、机械交变应力作用导致材料疲劳出现裂纹。而利用热膨胀系数小，导热强、高温强度好的钼或钼基合金，模具寿命大幅度延长。压铸手表壳等精巧零件时，寿命可达5000次，一般为3000次，轴承生产中钨板，钼板，钨棒，钼棒，钨管，钼管，钨坩埚，钼坩埚采用钼合金模具比原高速钢、轴承钢模具寿命提高15倍。
以上信息由专业从事纯金靶材厂家的东创贵金属于2025/7/28 8:03:05发布
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